Dispositivos pHEMT y FET de RF
Los pHEMT y FET de RF emplean control por efecto de campo en circuitos RF y de microondas. Su valor práctico está ligado a la ganancia de pequeña señal, el ruido, la estabilidad de polarización de puerta y la interacción del encapsulado con el diseño de alta frecuencia.
Uso típico
Aparecen en front-ends de bajo ruido, etapas driver de microondas, bloques de ganancia de banda ancha, rutas de conmutación RF y diseños discretos con impedancia controlada.
Datos de ingeniería
Los datos habituales incluyen rango de frecuencia, figura de ruido, ganancia, potencia en compresión, polarización de drenador, fuga de puerta, parámetros S, linealidad, límites de ruptura, encapsulado y restricciones térmicas.
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