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Dispositivos pHEMT e FET de RF

Dispositivos pHEMT e FET de RF são semicondutores de efeito de campo para baixo ruído, ganho em micro-ondas, chaveamento RF e front-ends de banda larga. O desempenho depende do controle de porta, ruído, parâmetros S e parasitas do encapsulamento.

pHEMT and RF FET device category image

Artigos

FAQ

Como revisar parâmetros S, planos de referência e estabilidade de um CI RF ou MMIC?

Confirme condições e planos do modelo, analise cargas críveis e verifique rede de bias, placa e fixture finais.

Como especificar encapsulamento, PCB e térmica de um CI RF ou MMIC?

Controle launch RF, exposed pad ou flange, terra, vias, stack-up, montagem e calor, calculando a junção pela dissipação e temperatura reais.

O que deve conter uma especificação de bias e proteção de semicondutor RF?

Defina rails, IDQ, ordem de ligar/desligar, defaults, transientes, proteções e recuperação no plano do dispositivo.

Que evidência é necessária para manusear, montar e aceitar bare die RF MMIC?

Controle armazenamento ESD, pega, attach, bonds, inspeção, identidade do die e aceitação elétrica vinculada ao lote.

Consulta técnica

Compartilhe seu requisito RF

Descreva o produto, as condições de operação e o contexto do projeto. Nossa equipe de engenharia encaminhará sua consulta ao especialista adequado.

AnexosAnexe desenhos, listas de materiais, especificações ou arquivos de medição. Até 5 arquivos, 10 MB por arquivo e 25 MB no total.
ou arraste-os para cáPDF, DOCX, XLSX, CSV, TXT, JPG, PNG, S1P e S2P
Normalmente analisado em um dia útilAs informações do projeto são tratadas com confidencialidade

Dispositivos pHEMT e FET de RF

pHEMT e FET de RF usam controle por efeito de campo em circuitos RF e de micro-ondas. O valor prático aparece em ganho de pequeno sinal, comportamento de ruído, estabilidade de polarização da porta e interação do encapsulamento com o layout de alta frequência.

Uso típico

Eles aparecem em front-ends de baixo ruído, estágios driver de micro-ondas, blocos de ganho de banda larga, caminhos de chaveamento RF e circuitos discretos com impedância controlada.

Dados de engenharia

Os dados relevantes incluem faixa de frequência, figura de ruído, ganho, potência no ponto de compressão, polarização de dreno, fuga de porta, parâmetros S, linearidade, limites de ruptura, encapsulamento e restrições térmicas.

Trate semicondutor, placa e plano de medição como uma única decisão

fornecedor de Dispositivos pHEMT e FET de RF / fabricante de Dispositivos pHEMT e FET de RF
Gerencie bare die, rastreabilidade e mudanças como interfaces Para bare die defina programa ESD, armazenamento selado, ambiente seco ou inerte após abertura quando necessário, limpeza, área de pega, orientação, verso, material/espessura de attach, cura, fio ou ribbon, geometria de bonds e inspeções visual, pull ou shear....
especificações técnicas de Dispositivos pHEMT e FET de RF
Congele função, condições e classe de evidência antes de comparar Defina primeiro o papel: baixo ruído, driver, potência, conversão, chaveamento, atenuação, fase, detecção, síntese, transceptor, proteção ou passivo integrado....
seleção de Dispositivos pHEMT e FET de RF
Congele função, condições e classe de evidência antes de comparar Defina primeiro o papel: baixo ruído, driver, potência, conversão, chaveamento, atenuação, fase, detecção, síntese, transceptor, proteção ou passivo integrado....
teste e verificação de Dispositivos pHEMT e FET de RF
Leve o plano calibrado ao DUT e verifique estados de produção Declare o plano de calibração de VNA, ruído, potência, linearidade, ruído de fase ou chaveamento e o que resta até o semicondutor. Caracterize metades do fixture, launches, probes, adaptadores, cabos e bias. Calibração in-fixture ou de-embedding só vale na banda validada; guarde bruto, corrigido e testes residuais.

Como selecionar e verificar CIs de RF, MMICs e semicondutores

Transforme uma lista de candidatos em decisão executável controlando condições de datasheet, planos de referência, estabilidade, bias, proteção, encapsulamento, PCB, térmica, de-embedding e evidência de aceitação.

Seleção de RF/MMIC, bias, layout e verificação