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Marketing

Consente misurazioni di marketing o tecnologie pubblicitarie di terzi se introdotte in futuro.

Dispositivi GaN HEMT

I dispositivi GaN HEMT sono transistor ad alta mobilità elettronica per stadi RF e microonde ad alta tensione e alta densità di potenza.

GaN HEMT device for RF power amplifier stages

Articoli

FAQ

Come valutare parametri S, piani di riferimento e stabilità di un IC RF o MMIC?

Confermare condizioni e piani del modello, analizzare carichi credibili e verificare rete bias, scheda e fixture finali.

Cosa deve includere una specifica di bias e protezione RF?

Definire rail, IDQ, ordine on/off, default, transitori, protezioni e recovery al piano del dispositivo.

Come specificare package, PCB e termica di un IC RF o MMIC?

Controllare launch RF, exposed pad o flangia, massa, vias, stack-up, assemblaggio e calore, calcolando la giunzione da dissipazione e temperatura reali.

Quali evidenze servono per handling, assemblaggio e accettazione di bare die RF MMIC?

Controllare storage ESD, presa, attach, bond, ispezione, identità del die e accettazione elettrica legata al lotto.

Richiesta tecnica

Condividi il tuo requisito RF

Descrivi il prodotto, le condizioni operative e il contesto del progetto. Il nostro team di ingegneria inoltrerà la richiesta allo specialista più adatto.

AllegatiAllega disegni, distinte base, specifiche o file di misura. Fino a 5 file, 10 MB per file e 25 MB complessivi.
o trascinali quiPDF, DOCX, XLSX, CSV, TXT, JPG, PNG, S1P e S2P
Normalmente esaminato entro un giorno lavorativoLe informazioni del progetto sono trattate in modo riservato

Dispositivi GaN HEMT

I dispositivi GaN HEMT usano nitruro di gallio e una struttura ad alta mobilità elettronica per fornire potenza RF con tensione e densità di potenza elevate. Sono impiegati quando lo stadio di amplificazione richiede compattezza, banda e margine termico.

Dove si usano

Applicazioni tipiche includono amplificatori di potenza a banda larga, trasmettitori radar pulsati, hardware EW, amplificatori per payload satellitari, moduli microonde e stadi driver o finali ad alta efficienza.

Dati tecnici

  • Tensione drain, potenza di uscita, guadagno, efficienza e comportamento di breakdown definiscono l'inviluppo operativo.
  • Resistenza termica, package e fissaggio del die influenzano funzionamento continuo e pulsato.
  • Dati load-pull, rete di adattamento e linearità guidano il progetto dell'amplificatore.

Trattare semiconduttore, scheda e piano di misura come un’unica decisione

fornitore di Dispositivi GaN HEMT / produttore di Dispositivi GaN HEMT
Gestire bare die, tracciabilità e modifiche come interfacce Per bare die definire programma ESD, stoccaggio sigillato, ambiente secco/inerte dopo apertura quando richiesto, pulizia, area di presa, orientamento, backside, materiale/spessore di attach, cure, filo o ribbon, geometria bond e ispezioni visive, pull o shear....
specifiche tecniche di Dispositivi GaN HEMT
Congelare funzione, condizioni e classe di evidenza prima del confronto Definire il ruolo: basso rumore, driver, potenza, conversione, switching, attenuazione, fase, rivelazione, sintesi, transceiver, protezione o passivo integrato....
selezione di Dispositivi GaN HEMT
Congelare funzione, condizioni e classe di evidenza prima del confronto Definire il ruolo: basso rumore, driver, potenza, conversione, switching, attenuazione, fase, rivelazione, sintesi, transceiver, protezione o passivo integrato....
test e verifica di Dispositivi GaN HEMT
Portare il piano calibrato al DUT e verificare stati di produzione Dichiarare il piano di calibrazione per VNA, rumore, potenza, linearità, phase noise o switching e ciò che resta fino al semiconduttore. Caratterizzare metà fixture, launch, probe, adattatori, cavi e bias....

Come selezionare e verificare IC RF, MMIC e semiconduttori

Trasforma una shortlist in una decisione eseguibile controllando condizioni del datasheet, piani di riferimento, stabilità, bias, protezione, package, PCB, termica, de-embedding ed evidenze di accettazione.

Selezione RF/MMIC, bias, layout e verifica